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曝三星、SK海力士、美光DDR6内存研发启动，速度有望达DDR5两倍

IT之家 5 月 5 日消息，据《The Elec》昨日（5 月 4 日）报道，三大内存制造商 —— 三星、SK 海力士和美光正在加速 DDR6 内存的开发。这项新技术预计将进一步提升 DDR5 标准的性能，并在各个方面提供改进。

报道称，尽管 JEDEC 标准尚未最终确定，但这些内存制造商已经要求基板供应商准备设计，目标是准备测试样品，以便在 DDR6 接近大规模生产之前做好准备。

一位来自基板行业的人士表示：“内存华体汇电竞-华体汇(中国)和基板制造商通常在华体汇电竞-华体汇(中国)推出前两年以上进行联合开发。DDR6 的初步开发最近才刚刚开始。”

报道提到，DDR6 预计将比 DDR5 带来大幅速度提升。早前的 JEDEC 路线图信息显示，DDR6 速度最高可达 17.6 Gbps，大约是 DDR5 计划上限的两倍。商用 DDR6 内存目前预计将在 2028 年至 2029 年左右推出。

IT之家注意到，JEDEC 已在去年发布了 LPDDR6 标准，计划为 LPDDR6 提供位宽减半的 x6 子通道模式，允许在单一封装中集成更多内存裸片，LPDDR6 也有望实现 512GB 系统内存容量。

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